[发明专利]CMOS感光元件及制备方法在审
申请号: | 201410273300.7 | 申请日: | 2014-06-18 |
公开(公告)号: | CN105206629A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 李程;吴敏;杨渝书;秦伟;高慧慧 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种CMOS感光元件及制备方法,通过在感光二极管的上下方各形成一片布拉格反射镜,且两片布拉格反射镜构成了法布里-珀罗谐振腔,当特定光波的光线进入法布里-珀罗谐振腔内,可在两片布拉格反射镜之间不断进行反射,从而使得光线被局限于法布里-珀罗谐振腔之中而进一步被感光二极管层吸收,进而提高感光二极管的对特定波长光线的吸收效率。本发明相比较传统的采用感光二极管直接进行光电转换类型的CMOS感光元件对红光的感光效率可以从20%提升至60%;同时对特定光波以外的光线则影响较小,极大改善图像输出的质量。 | ||
搜索关键词: | cmos 感光 元件 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种CMOS感光元件,其特征在于,所述CMOS感光元件包括一衬底,所述衬底中设置有PD层,位于该衬底顶部设置有一ILD层,位于所述ILD层中设置有第一反射镜,位于所述衬底的下表面设置有第二反射镜;在所述第一反射镜和第二反射镜之间形成法布里‑珀罗谐振腔(Fabry‑Perot cavity),以提高所述CMOS感光元件对特定光波的感光效率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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