[发明专利]CMOS感光元件及制备方法在审

专利信息
申请号: 201410273300.7 申请日: 2014-06-18
公开(公告)号: CN105206629A 公开(公告)日: 2015-12-30
发明(设计)人: 李程;吴敏;杨渝书;秦伟;高慧慧 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 吴俊
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种CMOS感光元件及制备方法,通过在感光二极管的上下方各形成一片布拉格反射镜,且两片布拉格反射镜构成了法布里-珀罗谐振腔,当特定光波的光线进入法布里-珀罗谐振腔内,可在两片布拉格反射镜之间不断进行反射,从而使得光线被局限于法布里-珀罗谐振腔之中而进一步被感光二极管层吸收,进而提高感光二极管的对特定波长光线的吸收效率。本发明相比较传统的采用感光二极管直接进行光电转换类型的CMOS感光元件对红光的感光效率可以从20%提升至60%;同时对特定光波以外的光线则影响较小,极大改善图像输出的质量。
搜索关键词: cmos 感光 元件 制备 方法
【主权项】:
一种CMOS感光元件,其特征在于,所述CMOS感光元件包括一衬底,所述衬底中设置有PD层,位于该衬底顶部设置有一ILD层,位于所述ILD层中设置有第一反射镜,位于所述衬底的下表面设置有第二反射镜;在所述第一反射镜和第二反射镜之间形成法布里‑珀罗谐振腔(Fabry‑Perot cavity),以提高所述CMOS感光元件对特定光波的感光效率。
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