[发明专利]改善低介电常数材质Kink缺陷的方法在审
| 申请号： | 201410273595.8 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN105225941A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 吴敏;傅海林;王一 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开的改善低介电常数材质Kink缺陷的方法，通过在金属掩模板一体化刻蚀的结构中，将特定厚度的氧化硅改为一定厚度的SiON，由于SiON的侧面刻蚀速率更接近于低介电常数材质，从而达到保护侧壁，减轻Kink缺陷的目的，进而得到有利于金属阻挡层及Cu后续填充的结构，减少填充和研磨缺陷，提高产品良率，且本发明的改进科学合理，与传统工艺的兼容性较高，实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 介电常数 材质 kink 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种改善低介电常数材质Kink缺陷的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底；于所述半导体衬底的上表面按照从下至上的顺序依次沉积阻挡层、第一介电层、第二介电层、金属掩膜层以及顶部氧化层；依次刻蚀所述顶部氧化层、金属掩膜层至第二介电层的上表面形成凹槽；继续以剩余的顶部氧化层和金属掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二介电层至第一介电层中形成沟槽；其中，第一介电层为低K介质层，第二介电层为抗反射膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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