[发明专利]一种改进的有源区只读存储单元在审
| 申请号： | 201410273831.6 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104008776A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 李力南;翁宇飞 | 申请（专利权）人： | 苏州宽温电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进的有源区只读存储单元，包括两条支路，所述两条支路的每条都包括一个MOS场效应晶体管，其中一条支路的所述MOS场效应晶体管包括栅极，栅极的栅介质和栅介质下面的第1和第2掺杂半导体区，另外一条支路的所述MOS场效应晶体管只包括栅极，所述第1和第2掺杂半导体区分别作为所述MOS场效应晶体管的源极和漏极。本发明在以前的基础上，读取时采用两条支路对比输入差分放大器，避免了采用基准电路带来的不匹配问题，极大地提高了读取的稳定性；同时采用差分架构，可以适度减小存储单元的尺寸，优化存储单元的面积问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 有源 只读 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种改进的有源区只读存储单元，包括两条支路，所述两条支路的每条都包括一个MOS场效应晶体管，其中一条支路的所述MOS场效应晶体管包括栅极，栅极的栅介质和栅介质下面的第1和第2掺杂半导体区，另外一条支路的所述MOS场效应晶体管只包括栅极，所述第1和第2掺杂半导体区分别作为所述MOS场效应晶体管的源极和漏极。
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