[发明专利]高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明涉及晶体硅太阳能电池制造技术，具体是一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池及其制造方法。该高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池包括有硅衬底、沉积在硅衬底上的氧化硅膜层、沉积在氧化硅膜层上的一层或多层氮化硅膜层、沉积在氮化硅膜层上的氮氧化硅膜层；所述氧化硅膜层的膜厚为1‑10nm；所述一层或多层氮化硅膜层的总厚度为60nm‑100nm、折射率为2.0‑2.4；所述氮氧化硅膜层的膜厚为10nm‑150nm、折射率为1.5‑2.0。本发明能够提高晶体硅太阳能电池的转化效率，并且也具有抗PID的作用。

主权项

一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池的制造方法，其特征是：包括在下步骤，步骤一，预热，硅片进入管式镀膜设备反应腔体，通入氮气和氨气，氮气流量为1000‑6000sccm/min，氨气流量为1000‑6000sccm/min，打开射频电源进行对石墨舟和硅片进行加热，射频功率为4000‑10000W，压力范围0.8‑1.8Torr，时间为100‑400sec，温度为300‑550℃；步骤二，氧化硅膜层沉积，通入一氧化二氮气体，气体流量为1000‑6000sccm/min，压力范围0.8‑1.8Torr，沉积时间为50‑200sec，在硅片表面沉积一层厚度为1‑10nm的氧化硅膜层；步骤三，抽真空，将反应腔体中反应残留气体抽出，为后续氮化硅和氮氧化硅的沉积做准备；步骤四，沉积氮化硅膜层，向反应腔体充入反应气体氨气和硅烷，硅烷流量200‑1000sccm/min，氨气流量2000‑10000sccm/min，压力范围0.8‑1.8Torr；射频电源打开，射频功率为4000‑10000W，在镀膜过程中通过控制反应气体比例、压力以及射频功率的变化形成一层或多层膜厚20nm‑80nm、折射率2.0‑2.4的氮化硅膜层；步骤五，氮氧化硅膜层沉积，通入沉积氮氧化硅所需的气体氨气、硅烷和一氧化二氮，硅烷流量50‑500sccm/min，一氧化二氮流量1000‑6500sccm/min，氨气流量0‑1000sccm/min，射频功率为5000‑11000W，压力为0.7‑1.7Torr；射频电源打开，在镀膜过程中通过控制反应气体比例、压力以及射频功率的变化形成膜厚10nm‑150nm、折射率1.5‑2.0的氮氧化硅膜层；步骤六，抽真空，通氮气，完成工艺。