[发明专利]一种低温钯基氢气传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201410275104.3 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104020201A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李世彬;张鹏;余宏萍;王健波;吴双红;陈志 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;G01N27/30 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种低温钯基氢气传感器，包括：阳极氧化铝支撑层；纳米金属钯颗粒层，设置在阳极氧化铝支撑层上；叉指电极，设置在所述纳米金属钯颗粒层上。本发明的实施例中提供的低温钯基氢气传感器及其制造方法以纳米金属钯颗粒层为气体敏感层，阳极氧化铝层（AAO）为支撑层，并采用金属叉指电极，获得的低温钯基氢气传感器对氢气具有良好的响应，相比传统的氢气传感器响应速度更快，工作温度更低，选择性良好，使用寿命长，而且工艺方法简单易操作，成本低廉，易于集成化，适合于大规模生产化要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 氢气 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低温钯基氢气传感器，其特征在于，包括：阳极氧化铝支撑层；纳米金属钯颗粒层，所述纳米金属钯颗粒层设置在所述阳极氧化铝支撑层上，并且包括多个纳米金属钯颗粒；叉指电极，所述叉指电极设置在所述纳米金属钯颗粒层上。
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