[发明专利]具有穿通接触部的ASIC构件有效
| 申请号： | 201410275934.6 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104241228B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | H·韦伯;H·屈佩尔斯;J·弗莱;J·赖因穆特;N·戴维斯 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于ASIC构件中的穿通接触部的实现方案，所述ASIC构件能够简单地集成在ASIC衬底的CMOS工艺中。所述ASIC构件(120)具有有效的前侧，在所述有效的前侧中实现电路功能(20)。所述至少一个穿通接触部(15)应建立所述有效的前侧与所述构件背侧之间的电连接。根据本发明，在前侧通过至少一个完全填充的前侧沟槽(151)限定所述穿通接触部(15)，而在背侧通过至少一个没有完全填充的背侧沟槽(154)限定所述穿通接触部。所述背侧沟槽(154)通到经填充的前侧沟槽(151)中。 | ||
| 搜索关键词： | 穿通 填充 背侧沟槽 电路功能 电连接 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种ASIC构件(120)，其具有一个有效的前侧并且具有至少一个穿通接触部(15)，在所述前侧中实现电路功能(20)，所述至少一个穿通接触部建立所述有效的前侧和构件背侧之间的电连接，其特征在于，●所述穿通接触部(15)在前侧通过至少一个完全填充的前侧沟槽(151)限定；●所述穿通接触部(15)在背侧通过至少一个没有完全填充的背侧沟槽(154)限定；●所述背侧沟槽(154)通到所述填充的前侧沟槽(151)中，所述前侧沟槽(251)通过至少一个介电层(252)相对相邻的半导体材料电绝缘，所述前侧沟槽(251)以导电材料(253)填充，所述背侧沟槽(254)通过至少一个介电层(256)相对所述相邻的半导体材料电绝缘，并且至少一个印制导线(257)从所述构件背侧上的布线层(258)在所述背侧沟槽(254)的壁上引导至所述前侧沟槽(251)的导电填充(253)。
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