[发明专利]具有金属层于漂移区之上的半导体元件

摘要

本发明公开了一种具有金属层于漂移区之上的半导体元件，该半导体元件包括衬底、绝缘层、栅极层以及金属层。绝缘层配置于衬底之上且覆盖漂移区，绝缘层包括第一边缘与第二边缘，第二边缘相对于第一边缘。栅极层覆盖绝缘层的第一边缘。金属层包括金属部分，金属部分连接于栅极层且重叠于绝缘层的第一边缘。金属部分包括第一边缘，金属部分的第一边缘位于比金属部分的相对的第二边缘更接近于绝缘层的中央部分之处。沿通道长度方向由金属部分的第一边缘至绝缘层的第一边缘的距离是a。由绝缘层的第一边缘至绝缘层的第二边缘的距离是L。a/L比值是等于或高于0.46。

主权项

一种半导体元件，包括：一衬底；一漂移区(drift region)，配置于该衬底中；一绝缘层，配置于该衬底之上且覆盖该漂移区，该绝缘层包括一第一边缘与一第二边缘，该第二边缘相对于该第一边缘；一栅极层(gate layer)，配置于该衬底之上且覆盖该绝缘层的该第一边缘；以及一金属层，配置于该衬底与该绝缘层之上，该金属层包括一金属部分，该金属部分连接于该栅极层且重叠于该绝缘层的该第一边缘，其中该金属部分包括一第一边缘，该金属部分的该第一边缘位于比该金属部分的相对的一第二边缘更接近于该绝缘层的一中央部分之处，沿一通道长度方向由该金属部分的该第一边缘至该绝缘层的该第一边缘的一距离是a，由该绝缘层的该第一边缘至该绝缘层的该第二边缘的一距离是L，且a/L比值是等于或高于0.46。