[发明专利]湿刻蚀设备及方法有效
| 申请号： | 201410276096.4 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104064456A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 柴立 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;刘华联 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及液晶显示器制造领域，提出了一种湿刻蚀设备，其包括：能够喷淋刻蚀液的喷淋装置；能够存储刻蚀液的储液槽；以及用于夹持待刻蚀的玻璃基板的夹持机构，其中，所述夹持机构能够沿所述储液槽的深度方向运动，并相应地带动所述玻璃基板沿所述储液槽的深度方向运动。本发明还提出了相应的方法。以此方式，在根据本发明的设备和方法中，可以对玻璃基板同时进行或选择性地进行两种湿刻蚀的模式，且每种模式刻蚀力度可控。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种湿刻蚀设备，其特征在于，包括：能够喷淋刻蚀液的喷淋装置；能够存储刻蚀液的储液槽；以及用于夹持待刻蚀的玻璃基板的夹持机构，所述夹持机构与所述储液槽的侧壁内壁相邻地设置，并使得所述玻璃基板的具有光学膜层的一侧能够承接来自所述喷淋装置的刻蚀液，其中，所述夹持机构能够沿所述储液槽的深度方向运动，并相应地带动所述玻璃基板沿所述储液槽的深度方向运动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410276096.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于处理晶片状物件的表面的装置
- 下一篇：半导体器件的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
