[发明专利]一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元

摘要

本发明提供一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元，所述存储单元至少包括：第一交叉耦合型反相器，由第一上拉管和第二上拉管组成；第二交叉耦合型反相器，由第一下拉管和第二下拉管组成；传输管，由第一存取管、第二存取管、第三存取管及第四存取管组成。本发明的静态随机存储器单元可以有效延长存储单元翻转所需要的反馈时间，在恢复时间不变的情况下可以提高存储单元的抗单粒子翻转能力；本发明的抗单粒子静态随机存储器单元所采取的工艺与数字逻辑工艺完全兼容，具有寄生电容小、功耗低、天然的抗单粒子闩锁能力的同时，不会增大额外工艺成本。

主权项

1.一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元，其特征在于，所述存储器单元至少包括：第一交叉耦合型反相器，由第一上拉管和第二上拉管组成；第二交叉耦合型反相器，由第一下拉管和第二下拉管组成；传输管，由第一存取管、第二存取管、第三存取管及第四存取管组成，其中：所述第一上拉管的栅极与所述第二上拉管的漏极相连，所述第一上拉管的漏极与所述第二上拉管的栅极相连，所述第一上拉管的源极和第二上拉管的源极均接高电平；所述第一下拉管的栅极与第三存取管的源极、第四存取管的漏极相连，第一下拉管的漏极与所述第一上拉管的漏极相连，所述第二下拉管的栅极与所述第一存取管的源极、第二存取管的漏极相连，所述第二下拉管的漏极与所述第二上拉管的漏极相连，所述第一下拉管的源极和第二下拉管的源极均接低电平；所述第一存取管的源极与第二存取管的漏极相连，所述第一存取管的漏极连接存储单元的位线，所述第二存取管的源极与第一上拉管的漏极、第一下拉管的漏极相连构成第一存储节点，所述第一存取管的栅极和第二存取管的栅极均受字线控制；所述第三存取管的源极与第四存取管的漏极相连，所述第三存取管的漏极连接存储单元的反位线，所述第四存取管的源极与第二上拉管的漏极、第二下拉管的漏极相连构成第二存储节点，所述第三存取管的栅极和第四存取管的栅极均受字线控制；或者：所述第一上拉管的栅极与所述第二上拉管的漏极相连，所述第一上拉管的漏极与所述第二上拉管的栅极相连，所述第一上拉管的源极和第二上拉管的源极均接高电平；所述第一下拉管的栅极与所述第四存取管的漏极相连，所述第一下拉管的漏极与第一上拉管的漏极、第一存取管的源极以及第二存取管的源极相连构成第一存储节点，第二下拉管的栅极与所述第二存取管的漏极相连，所述第二下拉管的漏极与第二上拉管的漏极、第三存取管的源极以及第四存取管的源极相连构成第二存储节点，所述第一下拉管的源极和第二下拉管的源极均接低电平；所述第一存取管的漏极连接存储单元的位线，所述第一存取管的栅极和第二存取管的栅极均受字线控制；所述第三存取管的漏极连接存储单元的反位线，所述第三存取管的栅极和第四存取管的栅极均受字线控制。