[发明专利]半导体结构

摘要

本发明公开了一种半导体结构。此一半导体结构包括一基板、形成于基板中的一第一阱、形成于第一阱中的一第一重掺杂区、形成于基板中并与第一阱分离的一第二重掺杂区、形成于基板中第二重掺杂区下的一第二阱、形成于基板上介于第一重掺杂区及第二重掺杂区之间的一栅介电质、以及形成于栅介电质上的一栅电极。栅介电质至少在横跨延伸自接近第二重掺杂区的一侧的一部分具有实质上均一的厚度。第一阱具有第一掺杂类型。第一重掺杂区、第二重掺杂区及第二阱具有第二掺杂类型。

主权项

1.一种半导体结构，包括：一基板；一第一阱，形成于该基板中，该第一阱具有一第一掺杂类型；一第一重掺杂区，形成于该第一阱中，该第一重掺杂区具有一第二掺杂类型；一第二重掺杂区，形成于该基板中并与该第一阱分离，该第二重掺杂区具有该第二掺杂类型；一第二阱，形成于该基板中该第二重掺杂区下，该第二阱具有该第二掺杂类型；一栅介电质，形成于该基板上介于该第一重掺杂区及该第二重掺杂区之间，并至少局部地形成于该第一阱上，该栅介电质至少在横跨延伸自接近该第二重掺杂区的一侧的一部分具有一均一的厚度；以及一栅电极，形成于该栅介电质上；其中，该第一重掺杂区位于一第一掺杂区内，该第二重掺杂区位于一第二掺杂区右侧且部分位于其上方，该第一掺杂区与该第二掺杂区直接接触左右相邻，该栅介电质横跨该第一掺杂区与该第二掺杂区之间；该栅介电质具有两个不同的厚度t1及t2，该栅介电质直接位在通道区上的部分的厚度t2小于位在其他部分的厚度t1，即该栅介电质直接位在通道区上的部分较薄。