[发明专利]一种低温反应烧结碳化硅的制备方法无效

专利信息
申请号: 201410276905.1 申请日: 2014-06-19
公开(公告)号: CN104030688A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: 方宁象;张国军;张波;张新龙 申请(专利权)人: 浙江立泰复合材料有限公司
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/65
代理公司: 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 代理人: 王晓峰
地址: 313219 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种低温反应烧结碳化硅的制备方法,其特征在于依次包括以下步骤:将碳粉、碳化硅粉和适量的成型剂混合均匀后形成混合粉末,模压成形后,得到陶瓷素坯;将金属铝和硅铝合金粉末分别在模具中压制成形得到铝压坯和硅铝合金压坯;将金属铝坯、陶瓷素坯和硅铝合金压坯顺次叠放在一起,在真空炉中保温烧结,得到反应烧结碳化硅。通过特殊的原料、配方、加工工艺的改进,使反应烧结碳化硅产品比其它工艺路线生产出的反应烧结碳化硅产品有更少的游离硅含量、更高的密度、更高的断裂韧性和更好的防弹性能。本发明所制备的反应烧结碳化硅产品的游离硅含量降低到8~12%,密度3.07~3.12g/cm3
搜索关键词: 一种 低温 反应 烧结 碳化硅 制备 方法
【主权项】:
一种低温反应烧结碳化硅的制备方法,其特征在于依次包括以下步骤:步骤一,将碳粉、碳化硅粉和适量的成型剂混合均匀后形成混合粉末,模压成形后,得到陶瓷素坯; 步骤二,将金属铝和硅铝合金粉末分别在模具中压制成形得到铝压坯和硅铝合金压坯; 步骤三,将金属铝坯、陶瓷素坯和硅铝合金压坯顺次叠放在一起,在真空炉中保温烧结,得到反应烧结碳化硅。
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