[发明专利]一种白光发光二极管的制作方法在审
申请号: | 201410276922.5 | 申请日: | 2014-06-19 |
公开(公告)号: | CN104112797A | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 尹灵峰;王江波;谢鹏;谭劲松;徐瑾 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/50;H01L33/60;H01L33/56 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 215600 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种白光发光二极管LED的制作方法,属于半导体技术领域。所述方法包括:在临时基板上依次沉积N型层、发光层、P型层,构成LED晶片;在所述P型层上形成掺有荧光粉的键合层;将所述键合层与永久基板键合;去除所述临时基板,并将所述LED晶片倒置;在所述LED晶片上开设从所述N型层延伸到所述P型层的凹槽;在所述N型层上沉积金属反射层;在所述金属反射层上设置N电极,在所述P型层上设置P电极。本发明通过在LED芯片的制作过程中,将荧光粉掺入键合层中,省去在制作LED芯片后的封装过程中涂覆荧光粉的过程,过程简单方便,提高了白光LED的生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 白光 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】:
一种白光发光二极管LED的制作方法,其特征在于,所述方法包括:在临时基板上依次沉积N型层、发光层、P型层,构成LED晶片;在所述P型层上形成掺有荧光粉的键合层;将所述键合层与永久基板键合;去除所述临时基板,并将所述LED晶片倒置;在所述LED晶片上开设从所述N型层延伸到所述P型层的凹槽;在所述N型层上沉积金属反射层;在所述金属反射层上设置N电极,在所述P型层上设置P电极。
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