[发明专利]一种市电检测装置及检测方法有效

专利信息
申请号: 201410277502.9 申请日: 2014-06-19
公开(公告)号: CN104049143B 公开(公告)日: 2017-10-31
发明(设计)人: 金乃庆;童怀俊;王盼盼;廖礼军;刘林 申请(专利权)人: 惠而浦(中国)股份有限公司
主分类号: G01R23/02 分类号: G01R23/02;G01R19/175;G01R19/00
代理公司: 合肥顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙)34120 代理人: 周发军
地址: 230088 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种市电检测装置及其检测方法,市电检测装置包括,在市电输入N线上通过所述二极管D1取信号,二极管D1半波整形后经分压取得V1后送入比较器第一输入端;比较器第二输入端为设定比较电压V2,比较器输出端的输出信号送给MCU的外部中断口;当V1>V2时则比较器输出低电平,反之输出高电平。市电检测方法包括,识别市电频率;识别上升沿中断产生后延迟△t时间,从而获取零点信号时间;根据比较器输出电平翻转点时刻比较器输入电压相等,计算出当前市电电压幅值。本发明能同时检测当前市电的频率、零点及电压幅值。该装置电路结构简单,所需元器件少,成本低,检测方法快速、精确度高。值得推广应用。
搜索关键词: 一种 市电 检测 装置 方法
【主权项】:
一种基于市电检测装置的市电检测方法,其特征在于,所述市电检测装置包括检测电路和微处理器MCU,所述检测电路包括二极管D1,电阻R1、R2,电阻R3、R4,比较器;在市电输入N线上通过所述二极管D1取信号,二极管D1半波整形后经电阻R1、R2分压取得V1后送入比较器第一输入端,比较器第二输入端为设定比较电压V2,所述V2为R3与R4的分压,比较器输出端的输出信号送给MCU的外部中断口;高电平VCC与L线相连,N线取信号后经二极管D1、电阻R1、R2后流入电源地,高电平VCC经电阻R3、R4后流入电源地;当V1>V2时则比较器输出低电平,反之输出高电平;所述市电检测方法包括以下步骤:识别连续两次下降沿端口中断的时间间隔,即当前下降沿中断产生到下次下降沿产生的时间间隔,为市电周期T,则半波周期为T/2;市电频率F则为F=1/T;识别当前下降沿中断与下次上升沿中断的时间间隔,即为比较器输入电压高于比较器设定电压的时间tK;由于市电正弦信号的对称性,则上升沿中断产生后延迟△t时间为市电零点时间,则△t=(T/2‑tK)/2;从而获取零点信号时间;比较器输出电平翻转点时刻tR=(T/2‑tK)/2,翻转时刻时比较器输入电压相等;则V1=V2;V1=Vm*sin(2πωT)*R2/(R1+R2),即Vm=V2/[sin(2πωT)*R2/(R1+R2)],计算出当前市电电压幅值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠而浦(中国)股份有限公司,未经惠而浦(中国)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410277502.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top