[发明专利]碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法有效
| 申请号： | 201410279889.1 | 申请日： | 2014-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN105329872B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/16 | 分类号： | C01B32/16;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳纳米管阵列的转移方法，包括将代替基底设置在碳纳米管阵列的第二表面，并使代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间具有粘结层；以及通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 转移 方法 结构 制备 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管阵列的转移方法，包括以下步骤：S1,提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列靠近该生长基底的表面为第一表面，远离该生长基底的表面为第二表面，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；S2,将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括：S21，将该代替基底设置在该碳纳米管阵列的第二表面，并使该代替基底与该碳纳米管阵列的第二表面之间具有粘结层；以及S22，通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底。
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