[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管、其制备方法及阵列基板与显示装置有效
| 申请号： | 201410280920.3 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN104078621A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 白妮妮;张琨鹏;康峰;高鹏飞;韩帅;刘宇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅薄膜及薄膜晶体管、其制备方法及阵列基板与显示装置，该低温多晶硅薄膜晶体管包括基板、在基板上形成的缓冲层，以及通过构图工艺在缓冲层上形成的有源层，此外，在所述的有源层上还形成有绝热保温层。本发明通过在在多晶硅薄膜结构中设计绝热保温层，该绝热保温层与缓冲层分别在有源层的上表面和下表面来抑制熔融硅中温度的扩散，起到双层保温的作用，从而明显延长多晶硅晶化的时间。同时，绝热保温层的图案设计可以使有源层在图案边缘部分先结晶形成多晶硅籽晶，引导熔融硅生长，有助于大尺寸晶粒的生长，有效的提高了TFT的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括依次在基板上形成的缓冲层和有源层，其特征在于：还包括在所述的有源层上形成的绝热保温层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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