[发明专利]交错地形成镍硅和镍锗结构有效
| 申请号： | 201410281111.4 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN104733299B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 刘继文;王昭雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及交错地形成镍硅和镍锗结构。本发明提供了用于在单个半导体衬底上产生半导体器件的系统和方法。产生的单个半导体衬底包括硅材料部分和锗材料部分。由第一金属在硅材料部分上形成第一组源极/漏极接触件。在第一温度下使用硅材料部分对第一组源极/漏极接触件进行退火。在将半导体衬底加热到第一温度之后，由第二金属在锗材料部分上形成第二组源极/漏极接触件，以及在第二温度下使用锗材料部分对第二组源极/漏极接触件进行退火，其中，第二温度小于第一温度。 | ||
| 搜索关键词： | 交错 形成 结构 | ||
【主权项】：
一种在单个半导体衬底上生成半导体器件的方法，包括：生成包括硅材料部分的单个半导体衬底；由第一金属在所述硅材料部分上形成第一组源极/漏极接触件；在第一温度下使用所述硅材料部分对所述第一组源极/漏极接触件进行退火；在所述第一温度的退火完成后，在所述单个半导体衬底上邻近所述硅材料部分处沉积锗材料部分；由第二金属在所述锗材料部分上形成第二组源极/漏极接触件；以及在第二温度下使用所述锗材料部分对所述第二组源极/漏极接触件进行退火，其中，所述第二温度小于所述第一温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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