[发明专利]多次可编程存储器及其操作方法有效
| 申请号： | 201410281229.7 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN105206300B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王志刚;李弦 | 申请（专利权）人： | 珠海创飞芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市唐家湾镇大学路*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多次可编程存储器及其操作方法，其中，所述存储器中的每个存储单元至少包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管均为单层浮栅晶体管。当所述第一MOS管和所述第二MOS管为相同类型的MOS管时，第一MOS管和所述第二MOS管均为源漏穿通管；当所述第一MOS管和所述第二MOS管中一个为PMOS管，另外一个NMOS管时，所述NMOS管为源漏穿通管。本发明利用源漏穿通管提高了存储器的电容耦合效率，并且，这种存储器结构减少了存储单元的面积，有利于大容量存储应用。 | ||
| 搜索关键词： | 多次 可编程 存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种多次可编程存储器，包括若干个存储单元，其特征在于，每个所述存储单元至少包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管均为单层浮栅晶体管，其中，所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极以及所述第三MOS管的栅极连接在一起，所述第一MOS管的源漏极均与第一电压端相连，所述第二MOS管的源漏极均与第二电压端相连，所述第三MOS管的源极或漏极连接第三电压端，容纳所述第一MOS管的阱不与所述第一电压端连接，容纳所述第二MOS管的阱不与所述第二电压端连接；当所述第一MOS管和所述第二MOS管为相同类型的MOS管时，第一MOS管和所述第二MOS管均为源漏穿通管；当所述第一MOS管和所述第二MOS管中一个为PMOS管，另外一个NMOS管时，所述NMOS管为源漏穿通管。
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