[发明专利]光致发光测量中掺杂浓度和少数载流子寿命分离

摘要

本发明涉及光致发光测量中掺杂浓度和少数载流子寿命分离。具体来说，本发明涉及分离由掺杂浓度和少数载流子寿命分别对半导体材料产生的光致发光(PL)的影响的方法。在一个实施方式中本底掺杂浓度以其他技术被测量，使得PL测量结果根据有效少数载流子寿命被分析。在另一个实施方式中有效寿命以其他技术被测量，使得PL测量结果根据本底掺杂浓度被分析。在又一个实施方式中，通过计算两次PL测量结果的强度比本底掺杂浓度的影响被消除，所述PL测量结果是在不同的光谱范围下被获得，或者在不同的激发波长下被产生。

主权项

一种分析硅锭或硅块的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(a)激发所述硅锭或硅块的至少一个侧面的至少一个部位，从而产生光致发光；(b)获取至少一个所述侧面的所述至少一个部位所辐射出的光致发光的至少一张图像；以及(c)根据所述硅锭或硅块中位错密度的变化对所述至少一张图像进行解释，进一步包括使用所述光致发光图像作为晶片生产的切割导引的步骤。