[发明专利]暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法有效
| 申请号： | 201410282977.7 | 申请日： | 2014-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN104085915A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 杨合情;王姣;金荣;田志霞;贾文静;马斓 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人： | 高雪霞 |
| 地址： | 710062 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法，采用简单的回流法，制备成暴露高能(001)晶面小尺寸六方相CdS超薄纳米片，CdS纳米片对角线尺寸为5～50nm、厚度为0.59～10nm。本发明操作简单，成本低，重复性好，所制备的暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片有望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 暴露 高能 001 晶面六方相 cds 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法，其特征在于：将CdCl2·2.5H2O、十二硫醇加入油胺中，搅拌，在惰性气氛下升温至220～350℃，恒温搅拌回流1～10小时，所述的CdCl2·2.5H2O与十二硫醇的摩尔比为1:5～200，油胺与十二硫醇的体积比为1～10:1，制备成暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片。
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