[发明专利]MRAM存储器、数据存储系统及数据读取方法有效
| 申请号： | 201410283328.9 | 申请日： | 2014-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN105224241A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 赵继勋 | 申请（专利权）人： | 联想（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100085 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种MRAM存储器、数据存储系统及数据读取方法，其中MRAM存储包括：接收数据操作命令的NAND接口；根据所述NAND接口所接收的数据操作命令，执行数据操作的MRAM阵列；获取并缓存MRAM阵列中待读取的数据，并将所述待读取的数据通过所述NAND接口输出的页缓冲器Page Buffer；其中，所述MRAM阵列通过所述页缓冲器与所述NAND接口相连。本发明实施例将NAND接口作为MRAM存储器的数据接口，同时将页缓冲器作为外部设备从MRAM存储器中读取出数据的区域，使得MRAM存储器读取数据的速率得到了提升。 | ||
| 搜索关键词： | mram 存储器 数据 存储系统 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种MRAM存储器，其特征在于，包括：接收数据操作命令的NAND接口；根据所述NAND接口所接收的数据操作命令，执行数据操作的MRAM阵列；获取并缓存MRAM阵列中待读取的数据，并将所述待读取的数据通过所述NAND接口输出的页缓冲器Page Buffer；其中，所述MRAM阵列通过所述页缓冲器与所述NAND接口相连。
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