[发明专利]一种铜/氮化铝陶瓷复合导热基板的制作方法有效
| 申请号： | 201410284022.5 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104064478A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 傅仁利;张鹏飞;涂兴龙;方军;蒋维娜 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种铜/氮化铝陶瓷复合导热基板的制作方法，包括以下步骤：（1）在氮化铝基板表面打出贯穿孔；（2）在氮化铝基板双面涂敷铜系电子浆料层；（3）向贯穿孔填充预氧化铜柱；（4）整体烧结30min；（5）双面涂敷锡银铜钎料后进行钎焊；（6）表面抛光；（7）直接进行镀铜处理，形成均匀的铜层，即获得铜/氮化铝陶瓷复合导热基板；以本发明方法制造出的铜/氮化铝陶瓷复合导热基板贯穿孔上下导通，孔内金属化层与陶瓷基板的结合强，中间铜柱可实现上下表面铜层的导通，方便电信号的传输，兼具理想的导热效果、低的热膨胀系数和良好的导电性能等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 陶瓷 复合 导热 制作方法 | ||
【主权项】：
一种铜/氮化铝陶瓷复合导热基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）利用激光在氮化铝基板表面打出贯穿孔；（2）在氮化铝基板双面涂敷铜系电子浆料，于1000℃‑1100℃空气气氛中烧结45min，形成厚度为5‑50μm的铜氧化物中间层；（3）对铜柱进行预氧化处理后，将其填充于氮化铝基板的贯穿孔中，所述铜柱直径比贯穿孔直径小0.05~0.1mm；（4）在800℃‑900℃还原气氛下对氮化铝基板和铜柱进行整体烧结30min；（5）在氮化铝基板双面涂敷锡银铜钎料后，在250℃条件下进行钎焊；（6）对氮化铝基板双面进行机械研磨和抛光处理；（7）对氮化铝基板双面进行镀铜处理，氮化铝基板双面形成均匀铜层，即为铜/氮化铝陶瓷复合导热基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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