[发明专利]CMOS器件及其形成方法

摘要

本申请公开了一种CMOS器件及其形成方法。该CMOS器件包括STI结构和位于相邻STI结构之间的阱区结构，其中阱区结构包括掺杂区和防扩散区，掺杂区设置在衬底中，防扩散区设置在掺杂区与衬底的非掺杂区之间，将掺杂区和非掺杂区至少部分地隔离开。上述CMOS器件的阱区结构中，在掺杂区的下方增加了防扩散区。在后续的掺杂过程及器件的通电使用过程中，这层预先形成的防扩散区能够阻碍掺杂离子的运动，防止掺杂离子由预定的阱区区域向衬底扩散移动。基于掺杂离子由阱区向衬底的扩散移动受到限制，掺杂离子向衬底的泄漏量就会相应减少。而在后期的使用过程中，较少的泄漏量就有利于避免阱区与衬底间、甚至是不同的阱区间出现隧穿效应，进而减少CMOS器件中的漏电流，使器件具有较高的使用性能。

主权项

一种CMOS器件，包括STI结构和位于相邻STI结构之间的阱区结构，其特征在于，所述阱区结构包括：掺杂区，设置在衬底中；防扩散区，设置在所述掺杂区与所述衬底的非掺杂区之间，将所述掺杂区和所述非掺杂区至少部分隔离开。