[发明专利]一种防止耦合的集成电路在审
申请号: | 201410284515.9 | 申请日: | 2014-06-24 |
公开(公告)号: | CN105321940A | 公开(公告)日: | 2016-02-10 |
发明(设计)人: | 高俊杰 | 申请(专利权)人: | 高俊杰 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/52 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 211300 江苏省南京市高*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种防止耦合的集成电路结构,用以防止集成电路中的耦合噪声,包括:耦接于接地信号的封环包括多个金属线,每一金属线分别对应每一金属层且环绕其晶片的电路区;电性连接各金属线的多个穿孔;以及隔绝各金属层于其他金属层之外的多个介电层。封环可能额外包括由封环内部或外部所形成的封环。半导体结构可能包括激光熔丝及保护环。保护环以耦接于接地信号为佳。通过在子电路间形成封环延伸物可降低在晶片中介于子电路间的串音。 | ||
搜索关键词: | 一种 防止 耦合 集成电路 | ||
【主权项】:
一种防止耦合的集成电路,形成于一半导体晶片中,所述集成电路结构包括:一封环,耦接于一信号接地;多个穿孔,耦接于一相邻上层或相邻下层的每一金属线;多个介电层,分别将各金属层与相邻下层或相邻上层的金属层隔离;以及一封环延伸物,与上述封环耦接且将电路分成若干区间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高俊杰,未经高俊杰许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410284515.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有客户机端一致性的传递
- 下一篇:自动分析装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的