[发明专利]一种具有高空穴浓度的P-GaN蓝光LED外延结构

摘要

一种具有高空穴浓度的P-GaN蓝光LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明从下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述P型GaN层从下至上依次包括交替生长的AlxGa1-xN层和MgN-In层，位于最顶层的MgN-In层上方置有P-AlGaN层。同现有技术相比，本发明具有较高的势垒高度，使载流子更容易跃迁到有源区，能够有效提高空穴浓度和迁移率，改善晶体质量，从而提高LED的亮度。

主权项

一种具有高空穴浓度的P‑GaN蓝光LED外延结构，它从下至上依次包括蓝宝石衬底（1）、AlN缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、有源区（5）、电子阻挡层（6）和P型GaN层（7），其特征在于：所述P型GaN层（7）从下至上依次包括交替生长的AlxGa1‑xN层（8）和MgN‑In层(9)，位于最顶层的MgN‑In层(9)上方置有P‑AlGaN层（10）。