[发明专利]一种线性工作功率MOSFET管并联方法

摘要

本发明涉及一种线性工作功率MOSFET管并联方法，该方法包括步骤(1)、根据MOSFET管开启电压最大值VGS(th)max和输入信号的电压Vc选取电阻R1、R2、R4、R5；(2)、搭建MOSFET管V1的测试电路；(3)、测试MOSFET管V1的栅极电压值V1G1和V1G2；(4)、连接MOSFET管V2的测试电路；(5)、测试MOSFET管V2的栅极电压值V2G1和V2G2；(6)、计算MOSFET管V1和MOSFET管V2的等效参数V1th、V2th；(7)、选取电流反馈回路的电阻参数R1’、R2’、R3’、R4’、R5’、R6’；(8)、搭建并联电路；该方法可以将均流电路的开环放大倍数由几十倍降低到几倍，实现了较高精度的MOSFET管的均流，可以应用到电机控制等干扰较大的场合。

主权项

一种线性工作功率MOSFET管并联方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤(一)、根据MOSFET管开启电压最大值VGS(th)max和输入信号的电压Vc按如下公式选取电阻R1、电阻R2、电阻R4和电阻R5：R2R1>VGS(th)max+2|Vc|max]]>R5R4>VGS(th)max+2|Vc|max]]> R2＝R5；同时选取电流检测电阻Rs1与电流检测电阻Rs2，令：Rs1＝Rs2＝Rs其中：Rs为设定值，MOSFET管包括MOSFET管V1与MOSFET管V2；步骤(二)、搭建MOSFET管V1的测试电路，具体方法如下：将电源E、负载RL、MOSFET管V1、运算放大器A1、电阻R1、电阻R2、电流检测电阻Rs1及信号源Vc连接，其中电阻R1的一端连接信号源Vc，另一端连接运算放大器A1的负输入端；电阻R2的一端连接运算放大器A1的负输入端，另一端连接运算放大器A1的输出端；运算放大器A1的输出端连接MOSFET管V1的栅极，运算放大器A1的正输入端接地；MOSFET管V1的源端通过电流检测电阻Rs1接地，电源E通过负载RL连接MOSFET管V1的漏极；步骤(三)、测试MOSFET管V1的栅极电压值V1G1和V1G2，具体方法如下：接通电源E，调整信号源Vc的电压，使MOSFET管V1工作在设定的最大工作电流IDMAX下，即：使电流检测电阻Rs1两端的电压V1S满足公式：V1S＝Rs1×IDMAX，测量MOSFET管V1的栅极电压值V1G1；再次调整信号源Vc的电压，使MOSFET管V1工作在二分之一的最大工作电流IDMAX下，即：使电流检测电阻Rs1两端的电压V1S满足公式：V1S＝0.5×Rs1×IDMAX，测量MOSFET管V1的栅极电压值V1G2；步骤(四)、连接MOSFET管V2的测试电路，具体方法如下：将步骤(二)搭建的MOSFET管V1的测试电路中去掉电阻R1，使MOSFET管V1不工作，将电源E、负载RL、MOSFET管V2、运算放大器A2、电阻R4、电阻R5、电流检测电阻Rs2及信号源Vc连接，其中电阻R4的一端连接信号源Vc，另一端连接运算放大器A2的负输入端；电阻R5的一端连接运算放大器A2的负输入端，另一端连接运算放大器A2的输出端；运算放大器A2的输出端连接MOSFET管V2的栅极，运算放大器A2的正输入端接地；MOSFET管V2的源端通过电流检测电阻Rs2接地，电源E通过负载RL连接MOSFET管V2的漏极；步骤(五)、测试MOSFET管V2的栅极电压值V2G1和V2G2，具体方法如下：接通电源E，调整信号源Vc的电压，使MOSFET管V2工作在设定的最大工作电流IDMAX下，即：使电流检测电阻Rs2两端的电压V2S满足公式：V2S＝Rs2×IDMAX，测量MOSFET管V2的栅极电压值V2G1；再次调整信号源Vc的电压，使MOSFET管V2工作在二分之一的最大工作电流IDMAX下，即：使电流检测电阻Rs2两端的电压V2S满足公式：V2S＝0.5×Rs2×IDMAX，测量MOSFET管V2的栅极电压值V2G2；步骤(六)、计算MOSFET管V1和MOSFET管V2的等效参数V1th、V2th，具体公式如下：V1th＝2×V1G2‑V1G1V2th＝2×V2G2‑V2G1；步骤(七)、选取电流反馈回路的电阻参数R1′、R2′、R3′、R4′、R5′、R6′，具体方法如下：当V1th＜V2th时，设定电阻参数R2′，按下列要求选取其它电阻值：R2′R1′>V1G1|Vc|max-IDMAX×Rs×R2′|Vc|max×R3′]]>R4′=V1thV2th×R1′]]> R5′＝R2′R6′=Rs×IDMAX×R2′×V1thV1G1×V2th+Rs×IDMAX×R2′×V2thR3-V2G1×V1th]]> 当V1th≥V2th时，设定电阻参数R5′，按下列要求选取其它电阻值：R5′R4′>V2G1|Vc|max-IDMAX×Rs×R5′|Vc|max×R6′]]>R1′=V2thV1th×R4′]]> R2′＝R5′R3′=Rs×IDMAX×R5′×V2thV2G1×V1th+Rs×IDMAX×R5′×V1thR6-V1G1×V2th;]]> 步骤(八)、将步骤(七)得到的电阻参数分别为R1′、R2′、R3′、R4′、R5′、R6′的电阻与电源E、负载RL、MOSFET管V1、MOSFET管V2、运算放大器A1、运算放大器A2、电流检测电阻Rs1、电流检测电阻Rs2及信号源Vc进行连接，形成并联电路。