[发明专利]一种双模式绝缘栅晶体管

摘要

本发明公开了一种双模式绝缘栅晶体管，属于IGBT技术领域。该双模式绝缘栅晶体管包括逆导区和引导区；逆导区和引导区均包括P+集电区，漂移区和MOS元胞区，漂移区均在P+集电区的上方，MOS元胞区均在漂移区的上方；逆导区还包括N+集电区，N+集电区与P+集电区相间分布；引导区还包括分离区或低掺杂区，分离区将引导区的P+集电区与逆导区的P+集电区和N+集电区隔离，低掺杂区在引导区的P+集电区上方。本发明通过增加器件在VDMOS模式时引导区上方电子电流通道的电阻或引导区集电极PN结内建电势，缩小双模式绝缘栅晶体管的引导区尺寸，从而提高了器件工作时内部电流密度的均匀性，近而提高器件的整体可靠性。

主权项

一种双模式绝缘栅晶体管，其特征在于，包括逆导区和引导区；所述逆导区和所述引导区均包括P+集电区，漂移区和MOS元胞区，所述漂移区均在所述P+集电区的上方，所述MOS元胞区均在所述漂移区的上方；所述逆导区还包括N+集电区，所述N+集电区与所述P+集电区相间分布；所述引导区还包括分离区，所述分离区将所述引导区的P+集电区与所述逆导区的P+集电区和所述N+集电区隔离；所述逆导区和所述引导区均还设置N+缓冲层，所述逆导区的N+缓冲层在所述逆导区的P+集电区或N+集电区和所述逆导区的漂移区之间，所述引导区的N+缓冲层在所述引导区的P+集电区和所述引导区的漂移区之间，所述引导区的分离区将所述逆导区的N+缓冲层和所述引导区的N+缓冲层隔离；所述分离区的下方还有一绝缘体区，所述绝缘体区位于硅衬底与集电极金属层之间，通过调整所述绝缘体区的宽度使所述引导区的N+缓冲层与集电极金属电位隔离；所述分离区为填充有绝缘体的沟槽。