[发明专利]同时刻蚀与钨掺杂的氧化钛纳米线阵列及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 201410288305.7 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104071831A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 郑耿锋;王永成;唐静 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C01G23/047 | 分类号： | C01G23/047;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于太阳能电池技术领域，具体为一种同时刻蚀和钨掺杂二氧化钛纳米线阵列及其制备方法和应用。制备方法包括：在水热体系下，以钛酸四正丁酯等为钛源，水为溶剂，浓盐酸调控水解反应的速率，在含氟氧化锡（FTO）等导电玻璃基底上生长二氧化钛纳米线阵列；然后在盐酸羟胺、硫化钠和钨酸钠水溶液中进行同时刻蚀和钨掺杂。本发明将利用TiO2纳米线阵列在弱碱性条件下的刻蚀过程实现高效的钨掺杂，提高了太阳能电池对光的吸收效率，实现了高效光解水制氢以及光电转化产生光电流的一步过程。本发明原材料来源广泛，制备方法简单、环保、价格低廉，有利于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 同时 刻蚀 掺杂 氧化 纳米 阵列 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
同时刻蚀和钨掺杂二氧化钛纳米线阵列的制备方法，其特征在于具体步骤为： (1) 将水与浓酸混合0.1–0.5小时后，向其中加入钛源，搅拌状态下反应5–10 min，然后转移到反应釜中，将基底正面朝下放入釜内，140–180℃条件下反应4–20个小时；(2) 将上述步骤制得的产物冲洗干净、吹干，于空气气氛中450–550℃温度条件下焙烧1–2小时，获得纯二氧化钛纳米线阵列；(3) 将上述步骤制得的纯二氧化钛纳米线阵列置于盐酸羟胺、硫化钠和钨酸钠水溶液中，150‑200℃条件下反应2‑10个小时，即获得同时刻蚀和钨掺杂二氧化钛纳米线阵列。
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