[发明专利]一种圆片级芯片扇出封装方法及其封装结构

摘要

本发明公开了一种圆片级芯片扇出封装方法及其封装结构，属于半导体封装技术领域。其首先在硅晶圆上刻蚀浅硅腔体并顺次在硅晶圆表面制作介电层和再布线层Ⅰ，其次在所述硅晶圆的上表面的再布线层Ⅰ上制备若干个金属凸块，接着将制备有芯片表面金属凸点的待封装芯片倒装放置到浅硅腔体里，并将整个硅晶圆进行塑封，然后将塑封体顶部研磨抛光并将金属凸块的上表面露出，再在塑封体的上表面制备再布线层Ⅱ，将金属凸块的输出端重布成阵列并放置焊锡球，最后切割成单颗封装体。本发明圆片级芯片扇出封装方法避免了待封装芯片在塑封工艺中的偏移问题，并降低了封装工艺过程中圆片的翘曲问题，从而降低了工艺难度，并提升了封装产品的可靠性。

主权项

一种圆片级芯片扇出封装方法，该方法包括：取一硅晶圆，在所述硅晶圆上刻蚀若干个阵列排布的浅硅腔体；在所述硅晶圆的上表面及浅硅腔体的表面设置介电层，再在所述介电层的表面选择性地设置再布线层Ⅰ；在所述硅晶圆的上表面的再布线层Ⅰ上制备若干个金属凸块，所述金属凸块与再布线层Ⅰ固连；将制备有芯片表面金属凸点的若干个待封装芯片倒装至所述浅硅腔体的底部，并与所述再布线层Ⅰ形成电气连接；对制备有金属凸块和完成待封装芯片倒装的硅晶圆进行塑封，形成塑封体；将所述塑封体的顶部进行研磨抛光，形成研磨面并露出金属凸块的上表面；在塑封体的研磨面选择性地制备再布线层Ⅱ，所述再布线层Ⅱ与上述金属凸块的上表面固连；在再布线层Ⅱ的表面设置钝化层，并形成若干个钝化层开口，所述钝化层开口内设置焊锡球； 将硅晶圆的下表面进行研磨减薄； 将上述完成封装的硅晶圆切割成单颗封装体。