[发明专利]一种PNiN结构晶闸管激光器在审
| 申请号： | 201410289510.5 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104051961A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 杨松 | 申请（专利权）人： | 南京青辰光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211500 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种既可以呈现激光器光学特性又可以呈现晶闸管电学特性的PNiN结构晶闸管激光器，属于半导体光电子领域。本发明的激光器包括依次层叠的N型电极、N型衬底、N型缓冲层、N型限制层、无掺杂的有源区层、N型反型层、P型限制层、P型接触层和P型电极。本发明的晶闸管激光器中引入N型反型层，以及无掺杂的有源区i层，在获得高功率和低阈值的激光器光学特性的同时，还可以获得晶闸管的电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pnin 结构 晶闸管 激光器 | ||
【主权项】：
一种PNiN结构晶闸管激光器，其特征在于，该晶闸管激光器由依次层叠的N型电极层(1)、N型衬底(2)、N型缓冲层(3)、N型限制层(4)、无掺杂有源区层(5)、N型反型层(6)、P型限制层(7)、P型接触层(8)和P型电极层(9)组成，所述N型反型层(6)由GaAs和AlGaAs材料构成。
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