[发明专利]一种量子阱结构的宽谱激光器在审
| 申请号： | 201410289761.3 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104167662A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 酉伟英 | 申请（专利权）人： | 南京青辰光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211500 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可以呈现宽谱特性的量子阱激光器，属于半导体光电子领域。本发明的激光器包括依次层叠的N型电极、N型衬底、N型缓冲层、第一N型重掺杂层、第一无掺杂的有源区、第二N型重掺杂层、第二无掺杂的有源区、P型重掺杂层、P型接触层和P型电极。本发明的宽谱激光器在两个有源区中间引入异质结，其中异质结由重掺杂N层和本征掺杂P层组成。可以实现有源区是量子阱的宽谱激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 结构 激光器 | ||
【主权项】：
一种量子阱结构的宽谱激光器，其特征在于，该宽谱激光器由依次层叠的N型电极层(1)、N型衬底(2)、N型缓冲层(3)、第一N型重掺杂层(4)、第一无掺杂量子阱有源区层(5)、第二N型重掺杂层(6)、第二无掺杂量子阱有源区层(7)、P型重掺杂层(8)、P型接触层(9)和P型电极层(10)组成，所述第一N型重掺杂层(4)由AlGaAs材料构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京青辰光电科技有限公司，未经南京青辰光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410289761.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液化气处理系统
- 下一篇：一种可调节角度的支撑机构
