[发明专利]基于Al2O3薄膜的擦写一次读多次非挥发性存储器在审
| 申请号： | 201410289955.3 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104022219A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李伟民;吴曙翔;李树玮 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储技术领域，公开了一种基于Al2O3薄膜的擦写一次读多次非挥发性存储器，包括衬底、Al2O3薄膜和Pt金属电极，Al2O3薄膜设于衬底上，Pt金属电极设于Al2O3薄膜上，其中衬底为ITO导电玻璃为材料的衬底。该存储器的结构为：铂—氧化铝薄膜—ITO导电玻璃（Pt—Al2O3—ITO），铂和ITO导电玻璃做电极。其中的氧化铝薄膜是通过分子束外延法制备而得到的。本发明的薄膜器件具有很高的可靠性和性能一致性，器件两种状态的阻值比约为104，可作为擦写一次读多次非挥发性存储器使用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 al sub 薄膜 擦写 一次 多次 挥发性 存储器 | ||
【主权项】：
一种基于Al2O3薄膜的擦写一次读多次非挥发性存储器，其特征在于，包括衬底、Al2O3薄膜和Pt金属电极，Al2O3薄膜设于衬底上，Pt金属电极设于Al2O3薄膜上，其中衬底为ITO导电玻璃为材料的衬底。
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