[发明专利]一种射频开关组件有效
| 申请号： | 201410292997.2 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104079275A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 马晓刚;张继英 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/56 | 分类号： | H03K17/56 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 郝瑞刚 |
| 地址： | 100015 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频开关组件，所述一种射频开关组件包括发射通道(11)、接收通道(22)、接地通道(44)以及接地通道(55)；所述通道(11)包括NMOS管M1以及电感L1；所述接收通道(22)包括NMOS管M3以及电感L3；所述接地通道(44)包括NMOS管M2以及电感L2；所述接地通道(55)包括NMOS管M4以及电感L4。本发明通过在NMOS管两端并联电感的方法消除NMOS管产生的寄生电容的影响，有效提高了隔离度，同时本发明的电路结构简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 开关 组件 | ||
【主权项】：
一种射频开关组件，其特征在于，所述一种射频开关组件包括发射通道(11)、接收通道(22)、接地通道(44)以及接地通道(55)；所述通道(11)包括NMOS管M1以及电感L1；所述接收通道(22)包括NMOS管M3以及电感L3；所述接地通道(44)包括NMOS管M2以及电感L2；所述接地通道(55)包括NMOS管M4以及电感L4；所述NMOS管M1的漏极以及所述NMOS管M2的漏极均与发射端连接，所述NMOS管M1的栅极以及所述NMOS管M4的栅极均与控制电压Vct1连接；所述NMOS管M1的源极以及所述NMOS管M3的源极均与公共端(33)连接；所述公共端(33)连接天线；所述电感L1并联在所述NMOS管M1的两端；所述NMOS管M3的栅极以及所述NMOS管M2的栅极均与所述控制电压Vct2连接；所述NMOS管M3的漏极以及所述NMOS管M4的漏极均与接收端连接；所述电感L3并联在所述NMOS管M3的两端；所述NMOS管M4的源极以及所述NMOS管M2的源极均接地；所述电感L2并联在所述NMOS管M2的两端；所述电感L4并联在所述NMOS管M4的两端。
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