[发明专利]SiC MOS电容及制造方法在审
| 申请号： | 201410293411.4 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104037239A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 贾仁需;闫宏丽;宋庆文;汤晓燕;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人： | 李楠 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiCMOS电容及制造方法。所述SiC MOS电容包括：SiC衬底、栅介质层和正负电极；所述SiC衬底层上设有SiC外延层；所述栅介质层包括上层SiO2过渡层、LaxAl1-xO层和下层SiO2过渡层；所述SiC外延层上设有所述下层SiO2过渡层，所述下层SiO2过渡层上设有所述LaxAl1-xO层，所述LaxAl1-xO层上设有上层SiO2过渡层；所述正负电极分别与上层SiO2过渡层的表面和SiC衬底的背面连接；所述SiC衬底层为N型重掺杂SiC衬底层，所述SiC外延层为N型轻掺的SiC外延层。本发明可以减小栅漏电流，改善了器件的耐压能力，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | sic mos 电容 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC MOS电容，其特征在于，所述SiC MOS电容包括：SiC衬底、栅介质层和正负电极；所述SiC衬底层上设有SiC外延层；所述栅介质层包括上层SiO2过渡层、LaxAl1‑xO层和下层SiO2过渡层；所述SiC外延层上设有所述下层SiO2过渡层，所述下层SiO2过渡层上设有所述LaxAl1‑xO层，所述LaxAl1‑xO层上设有上层SiO2过渡层；所述正负电极分别与上层SiO2过渡层的表面和SiC衬底的背面连接；所述SiC衬底层为N型重掺杂SiC衬底层，所述SiC外延层为N型轻掺的SiC外延层。
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