[发明专利]SiC MOS电容及制造方法

摘要

本发明涉及一种SiC MOS电容及制造方法。SiC MOS电容包括：SiC衬底、栅介质层以及正负电极；SiC衬底层上设有SiC外延层；栅介质层包括上层SiO₂过渡层、Hf_xAl_1-xON层和下层SiO₂过渡层；SiC外延层上设有下层SiO₂过渡层，下层SiO₂过渡层上设有Hf_xAl_1-xON层，Hf_xAl_1-xON层上设有上层SiO₂过渡层；正负电极分别与上层SiO₂过渡层的表面和SiC衬底的背面连接。本发明可以减小栅漏电流，改善了器件的耐压能力，提高了器件的可靠性。

主权项

一种SiC MOS电容，其特征在于，所述SiC MOS电容包括：SiC衬底、栅介质层以及正负电极；所述SiC衬底层上设有SiC外延层；所述栅介质层包括上层SiO₂过渡层、Hf_xAl_1‑xON层和下层SiO₂过渡层；所述SiC外延层上设有所述下层SiO₂过渡层，所述下层SiO₂过渡层上设有所述Hf_xAl_1‑xON层，所述Hf_xAl_1‑xON层上设有所述上层SiO₂过渡层；所述正负电极分别与所述上层SiO₂过渡层的表面和所述SiC衬底的背面连接；所述SiC衬底为N型重掺杂SiC衬底层，所述SiC外延层为N型轻掺的SiC外延层。