[发明专利]读取器结构有效
| 申请号： | 201410293499.X | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104252866B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | V·B·萨波日尼科夫;M·S·U·帕特瓦瑞 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 毛力 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开描述了一种读取器结构。此处公开的设备包括：磁性自由层；以及自由层的第一侧上的第一阻挡层，其中阻挡层在顺轨道方向上直接接触底部护罩。 | ||
| 搜索关键词： | 读取器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种读取器，包括：磁性自由层；以及在所述自由层的第一侧上且与所述自由层直接接触的第一阻挡层，其中所述磁性自由层和所述第一阻挡层位于顶部护罩与底部护罩之间，所述第一阻挡层在顺轨道方向上直接接触所述底部护罩，其中所述底部护罩包括第一合成反铁磁SAF结构，所述第一合成反铁磁SAF结构包括由非磁性层隔开的参考层和钉扎层，并且所述第一阻挡层足够薄到使得在所述参考层和所述自由层之间出现量子力学的电子隧穿。
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