[发明专利]记忆体阵列及其非挥发性记忆装置有效
| 申请号： | 201410298341.1 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104464805B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 林崇荣;金雅琴 | 申请（专利权）人： | 卡比科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;H01L27/112 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市东*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭露一种记忆体阵列及其非挥发性记忆装置。非挥发性记忆装置包含：基板区、二储存单元、间隙壁结构及二控制单元。二储存单元包含：各与基板区间形成有栅极介电层的二反熔丝栅极结构以及二扩散区。间隙壁结构形成于基板区上及反熔丝栅极结构间，接触于反熔丝栅极结构。扩散区分别为以第一型杂质布植的第一布植区，分别接触于二反熔丝栅极结构其中之一。控制单元各包含：选择栅极以及第二布植区。选择栅极形成于基板区上，并与基板区间形成有介电层，其第一侧与储存单元的二扩散区其中之一接触。第二布植区以第一型杂质布植形成于基板区中，并接触选择栅极的第二侧。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极结构 反熔丝 基板区 储存单元 非挥发性 记忆装置 选择栅极 布植区 扩散区 记忆体阵列 间隙壁结构 布植 基板 栅极介电层 介电层 | ||
【主权项】：
一种非挥发性记忆装置，其特征在于，包含：一基板区；二储存单元，包含：二反熔丝栅极结构，形成于该基板区上，并各与该基板区间形成有一栅极介电层；以及二扩散区，分别为以一第一型杂质布植的一第一布植区，形成于所述二反熔丝栅极结构的两侧的该基板区中，并分别接触于所述二反熔丝栅极结构其中之一；一间隙壁结构，形成于该基板区上及所述二反熔丝栅极结构间，并接触于所述二反熔丝栅极结构，其中该间隙壁结构隔离该二储存单元；以及二控制单元，各包含：一选择栅极，形成于该基板区上，并与该基板区间形成有一介电层，该选择栅极的一第一侧与该储存单元的所述二扩散区其中之一接触；以及一第二布植区，以该第一型杂质布植形成于该基板区中，并接触该选择栅极的一第二侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡比科技有限公司，未经卡比科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410298341.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
