[发明专利]固态成像装置和电子装置有效
申请号: | 201410299043.4 | 申请日: | 2014-06-26 |
公开(公告)号: | CN104282703B | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 秋山健太郎 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了固态成像装置和电子装置,该固态成像装置包括相位差检测像素,所述相位差检测像素包括形成在半导体衬底上并配置成光电转换入射光的光电转换部、配置成将入射光引导至光电转换部的波导,以及形成在波导的开口附近并配置成遮挡入射光的进入波导的那部分的遮光部。 | ||
搜索关键词: | 固态成像装置 入射光 波导 光电转换部 相位差检测 电子装置 像素 配置 光电转换 遮光部 衬底 遮挡 半导体 开口 | ||
【主权项】:
1.一种固态成像装置,包括:相位差检测像素,所述相位差检测像素包括:光电转换部,形成在半导体衬底上并被配置为光电转换入射光,波导,被配置为将所述入射光引导至所述光电转换部,以及遮光部,形成在所述波导的开口附近并被配置为遮挡进入所述波导的所述入射光的一部分;其中,在第一方向上射入的一部分入射光由所述波导引导至所述光电转换部,并且大部分入射光由所述遮光部反射作为反射光并且不到达光电转换部;在第二方向上射入的大部分入射光穿过所述波导的开口的未被所述遮光部遮挡的部分,并由所述波导引导至所述光电转换部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410299043.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有安全闭合性的发动机罩安全挂钩
- 下一篇:镁合金、其生产方法及其用途
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的