[发明专利]多层保护膜的形成方法和多层保护膜的形成装置

摘要

本发明提供多层保护膜的形成方法和多层保护膜的形成装置。该多层保护膜的形成方法能够不必进行脱氢工序。在形成与由IGZO构成的信道(32)接触的、并且具有氮化硅膜(31a、35b)和氧化硅膜(31b、35a)的栅保护膜(31)、钝化层(35)时，使用氯化硅气体和不含有氢原子的氧气形成氧化硅膜(31b、35a)，使用氯化硅气体和不含有氢原子的含氮气体形成氮化硅膜(31a、35b)，连续地执行氧化硅膜(31b、35a)的成膜和氮化硅膜(31a、35b)的成膜。

主权项

1.一种多层保护膜的形成方法，该多层保护膜接触于氧化物半导体，并且至少包含氮化硅膜和氧化硅膜，该多层保护膜的形成方法的特征在于，该多层保护膜的形成方法具有以下步骤：氧化硅膜成膜步骤，使用氯化硅即SiCl4气体以及不含有氢原子的含氧气体或者使用氟化硅即SiF4气体以及不含有氢原子的含氧气体来生成等离子体，从而形成上述氧化硅膜；以及氮化硅膜成膜步骤，使用上述氯化硅气体以及不含有氢原子的含氮气体或者使用上述氟化硅气体以及不含有氢原子的含氮气体来生成等离子体，从而形成上述氮化硅膜，连续地执行上述氧化硅膜成膜步骤和上述氮化硅膜成膜步骤，在上述氮化硅膜成膜步骤之前执行上述氧化硅膜成膜步骤，在将上述氧化硅膜成膜步骤切换为上述氮化硅膜成膜步骤时，一边继续供给上述氯化硅气体或者上述氟化硅气体来维持等离子体，一边停止供给上述含氧气体，之后，开始供给上述含氮气体。