[发明专利]有集成工艺边缘成像和计量系统的电镀和电填充后系统有效
申请号: | 201410299510.3 | 申请日: | 2014-06-26 |
公开(公告)号: | CN104253071B | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 丹尼尔·马克·丁南;詹姆斯·E·邓肯 | 申请(专利权)人: | 诺发系统公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/285 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及有集成工艺边缘成像和计量系统的电镀和电填充后系统,具体公开了用于在晶片上形成金属层的电镀系统,该系统包括电镀模块和晶片边缘成像系统。电镀模块可包括用于包含阳极以及电镀过程中的电镀溶液的槽,以及用于在电镀过程中将晶片保持在所述电镀溶液中并旋转所述晶片的晶片保持器。晶片边缘成像系统可包括用于保持并旋转晶片通过不同的方位方向的晶片保持器,被取向以在所述晶片被保持并旋转的同时获得所述晶片的工艺边缘的多个在方位上分开的图像的摄像机(所述工艺边缘对应于在所述晶片上形成的金属层的外缘),以及用于确定边缘排除距离的图像分析逻辑块,其中所述边缘排除距离是所述晶片的边缘和所述工艺边缘之间的距离。 | ||
搜索关键词: | 集成 工艺 边缘 成像 计量 系统 电镀 填充 | ||
【主权项】:
一种用于在实质圆形的晶片上形成金属层的电镀系统,所述系统包括:电镀模块,其包括:槽,其用于包含阳极以及电镀过程中的电镀溶液,以及晶片保持器,其用于在电镀过程中将所述晶片保持在所述电镀溶液中并旋转所述晶片;边缘斜角去除模块,所述边缘斜角去除模块包括:用于保持和旋转所述晶片的晶片保持器,以及用于在所述晶片保持器上保持和旋转所述晶片的同时将蚀刻剂输送到所述晶片的边缘斜角区域以在所述电镀模块中的电镀之后从所述边缘斜角区域去除被电镀的金属的设备;晶片边缘成像系统,其包括:晶片保持器,其用于保持并旋转所述晶片通过不同的方位方向,摄像机,其被取向以在所述晶片在所述成像系统的晶片保持器上被保持并旋转通过不同的方位方向的同时获得所述晶片的工艺边缘的多个在方位上分开的图像,所述工艺边缘对应于在所述晶片上形成的所述金属层的外缘,其中所述摄像机是彩色摄像机且由所述彩色摄像机生成的每一个图像被表示为成阵列的像素,每个像素包括至少三个颜色值,以及图像分析逻辑块,其用于从所述多个在方位上分开的图像确定边缘排除距离,其中所述边缘排除距离是所述晶片的边缘和所述工艺边缘之间的距离,其中所述图像分析逻辑块进一步包括用于从所述多个在方位上分开的图像确定是否已经由所述边缘斜角去除模块在所述晶片上执行边缘斜角去除(EBR)的EBR检测逻辑块;以及故障识别和报告逻辑块,其用于在所述图像分析逻辑块确定EBR还未被执行时将错误报告给所述电镀系统的操作者。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于诺发系统公司,未经诺发系统公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410299510.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造