[发明专利]一种p面带有DBR反射层的反极性AlGaInP发光二极管结构有效
| 申请号： | 201410299982.9 | 申请日： | 2014-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN105322062B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 左致远;夏伟;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种p面带有DBR反射层的反极性AlGaInP发光二极管结构，由底部至顶部的结构依次为p电极、衬底、键合层、反射镜层及欧姆接触层、绝缘层、DBR反射层、p型窗口层、p型半导体层、有源区、n型半导体层、窗口层和n电极；本发明有效解决反极性AlGaInP基LED光提取效率低下的问题，且易于与现有超高亮度LED工艺相集成，有利于大功率LED生产应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 dbr 反射层 极性 algainp 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种p面带有DBR反射层的反极性AlGaInP发光二极管结构，由底部至顶部的结构依次为p电极、衬底、键合层、反射镜层与欧姆接触层、绝缘层、DBR反射层、p面窗口层、p型半导体层、有源区、n型半导体层、窗口层，n电极；其中，所述的DBR反射层是MOCVD技术制备的AlxIn1‑xP/GaAs、AlxInxP/GaxInxP、AlxInxP/(AlxGa1‑x)yIn1‑yP或AlAs/AlxGaAs交替生长层，周期数为1‑50对，单周期厚度为0.1μm‑1μm；其中，0≤x≤1，0≤y≤1，p型掺杂的浓度为1×1018cm‑3‑1×1021cm‑3；所述的反射镜层与欧姆接触层厚度为0.1μm‑10μm，并以开孔的形式穿透绝缘层与DBR反射层接触；开孔直径为1‑50μm。
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