[发明专利]外延GaN的PIN结构β辐照电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201410299989.0 | 申请日： | 2014-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN104064240A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 郭辉;黄海栗;王悦湖;宋庆文;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种外延GaN的PIN结构β辐照电池及其制备方法，主要解决当前β辐照电池能量转化率及输出功率低的问题。其实现步骤是：在清洗后的4H-SiC衬底上依次外延生长N型低掺杂SiC外延层和P型高掺杂GaN外延层；再在P型高掺杂GaN外延层上淀积P型Ti/Au欧姆接触电极，在SiC衬底未外延的背面淀积Ni接触电极；然后在P型Ti/Au电极上光刻沟槽窗口，并刻蚀沟槽；最后在沟槽中放置β放射源，得到外延GaN的PIN结构β辐照电池。本发明制作出的电池具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电流和电压大的优点，可为微小电路持久供电，或在需长期供电但无人看守的场合下供电。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 gan pin 结构 辐照 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种外延GaN的PIN结构β辐照电池，包括：β放射源和PIN结，该PIN结自下而上依次为，N型欧姆接触电极(5)、N型高掺杂4H‑SiC衬底(1)、N型低掺杂SiC外延层(2)、P型高掺杂GaN外延层(3)和P型欧姆接触电极(4)，其特征在于：所述PIN结中设有n个沟槽(6)，其中n≥2；所述β放射源(7)放置在沟槽(6)内，以实现对高能β粒子的充分利用。
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