[发明专利]电阻型随机存取存储器单元

摘要

提供了电阻型随机存取存储器单元(10、20、80、90、110)来以多个可编程单元状态存储信息。电绝缘基质(11、21、81、91、111)位于第一电极和第二电极(12、13、92、112、113)之间，以使得在向电极施加写电压时，可以在基质内形成在电极之间的方向上延伸的电传导路径(14、24、82、114)。可编程单元状态与基质中的传导路径的各配置相对应。电传导组件(15、22、83、94、117、118)在电极之间的方向上延伸并接触绝缘基质。布置为如下在任何单元状态中，所述组件针对由读电压产生的单元电流而呈现的电阻至少约为所述传导路径的电阻，并且至多约为所述绝缘基质的电阻，所述读电压被施加于电极以读取编程后单元状态。

主权项

一种互补单元，其包括至少第一RRAM单元和第二RRAM单元，用于以多个可编程单元状态存储信息，所述第一RRAM单元包括：位于第一电极和第二电极之间的电绝缘基质，以使得能够在向电极施加写电压时在所述基质内形成在电极之间的方向上延伸的电传导路径，所述可编程单元状态分别与所述基质内的电传导路径的各配置相对应；以及电传导组件，所述电传导组件在电极之间的方向上延伸并与所述电绝缘基质相接触，其中，布置成使得在任何所述可编程单元状态中，所述电传导组件针对由读电压产生的单元电流而呈现的电阻至少为所述电传导路径的电阻，并且至多为所述电绝缘基质的电阻，其中所述读电压被施加于电极以读取编程后单元状态，其中，所述第一RRAM单元与具有相同结构的第二RRAM单元反串联地连接，并且所述第一RRAM单元和所述第二RRAM单元的电传导组件具有不同的电阻。