[发明专利]GaN基发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201410301607.3 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104037294B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 姚禹;郑远志;陈向东;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种GaN基发光二极管及其制作方法。本发明GaN基发光二极管包括衬底、发光外延层、第一电极和第二电极；所述第二电极包括环形金属接触层和圆形金属反射层；所述发光外延层包括电流阻挡层、透明导电层、绝缘保护层、第一半导体层和第二半导体层；所述发光外延层设置在衬底的上表面；所述第一电极设置在所述发光外延层的所述第一半导体层上；所述第二电极设置在所述发光外延层的所述第二半导体层上；所述透明导电层和所述绝缘保护层分别设置有第一圆孔，所述第一圆孔与所述环形金属接触层中心轴相同，通过对第二电极的接触层和反射层结构进行优化，在保证产品的良率及工艺的稳定性同时，提高了产品的亮度和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | gan 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管，其特征在于，包括：衬底、发光外延层、第一电极和第二电极；所述第二电极包括环形金属接触层和圆形金属反射层；所述发光外延层包括电流阻挡层、透明导电层、绝缘保护层、第一半导体层、发光层和第二半导体层；所述发光外延层设置在所述衬底的上表面；所述第一电极设置在所述发光外延层的所述第一半导体层上；所述第二电极设置在所述发光外延层的所述第二半导体层上；所述透明导电层和所述绝缘保护层分别设置有第一圆孔，所述第一圆孔与所述环形金属接触层中心轴相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圆融光电科技有限公司，未经圆融光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410301607.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
