[发明专利]集成电路的电感衬底隔离结构有效
| 申请号： | 201410301738.1 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104064547B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 刘志坚 | 申请（专利权）人： | 珠海市杰理科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 周清华,崔春 |
| 地址： | 519085 广东省珠海市吉*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路的电感衬底隔离结构，包括p型衬底；在所述p型衬底中形成的n型阱区，所述n型阱区包括多个n阱；在所述多个n阱中注入形成的多个p型有源区；覆盖在所述n型阱区上的多晶硅屏蔽层，所述多晶硅屏蔽层包括多条n型多晶硅，每条n型多晶硅覆盖在相邻两个n阱之间，并通过所述p型有源区间隔开；覆盖在所述多晶硅屏蔽层上的金属层，所述金属层为X型金属结构，所述X型金属结构设置在所述n型阱区的对角线位置；覆盖在所述金属层上的电感，所述电感的中心点与所述X型金属结构的中心点重合。本发明能有效降低电感对衬底的电磁损耗，减小电感与屏蔽层及衬底之间的耦合电容，提高电感的品质因数和工作频率。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 电感 衬底 隔离 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路的电感衬底隔离结构，其特征在于，包括：p型衬底；在所述p型衬底中形成的n型阱区，所述n型阱区包括多个n阱；在所述多个n阱中注入形成的多个p型有源区；其中，所述n型阱区为矩形，所述n型阱区的对角线将所述n型阱区划分为四个三角形区域，多个所述p型有源区之间等间距平行分布在每个三角形区域上；相对的两个三角形区域上的p型有源区的排列方向相同，相邻的两个三角形区域上的p型有源区的排列方向相互垂直；覆盖在所述n型阱区上的多晶硅屏蔽层，所述多晶硅屏蔽层包括多条n型多晶硅，每条n型多晶硅覆盖在相邻两个n阱之间，并通过所述p型有源区间隔开；多晶硅屏蔽层和上方电感正交放置；覆盖在所述多晶硅屏蔽层上的金属层，所述金属层为X型金属结构，所述X型金属结构设置在所述n型阱区的对角线位置；覆盖在所述金属层上的电感，所述电感的中心点与所述X型金属结构的中心点重合；所述p型衬底连接至集成电路的低电位点，所述n阱连接到集成电路的高电位点，所述p型有源区和所述n型多晶硅连接到集成电路的低电位点。
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