[发明专利]氮化物半导体元件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法在审
| 申请号： | 201410301753.6 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104253180A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 彦坂年辉;吉田学史;名古肇;杉山直治;布上真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/20;H01L33/12;H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 牛南辉;杨晓光 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化物半导体元件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体元件包括：层叠体；以及功能层。所述层叠体包括第一GaN层、第一层和第二GaN层。第一GaN层包括第一凸起。所述第一层设于第一GaN层上并且包含Si和Mg中的至少一种。第二GaN层设于所述第一层上并且包括第二凸起。所述第二凸起的底部的长度小于所述第一凸起的底部的长度。功能层设于所述层叠体上并且包括氮化物半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 晶片 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体元件，包括：层叠体，其包括：包括第一凸起的第一GaN层、设于所述第一GaN层上并且包含Si和Mg中的至少一种的第一层、以及设于所述第一层上并且包括第二凸起的第二GaN层，所述第二凸起的底部的长度短于所述第一凸起的底部的长度；以及功能层，其设于所述层叠体上并且包括氮化物半导体。
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