[发明专利]刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410301926.4 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN105225942B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;周俊卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种刻蚀方法，包括：提供衬底；在衬底上形成刻蚀材料层；在刻蚀材料层上形成硬掩模，硬掩模包括依次形成于刻蚀材料层上的第二硬掩模以及第一硬掩模；图形化第一硬掩模，在第一硬掩模中形成图案，并露出部分第二硬掩模；以第一硬掩模为掩模刻蚀第二硬掩模，将图案转移到第二硬掩模中；以具有图案的第二硬掩模为掩模，刻蚀材料层。本发明的有益效果在于：相对于现有技术完全以第一光刻胶来刻蚀硬掩模的方式，减少第一光刻胶的者减少被刻蚀程度，从而尽量地避免了因第一光刻胶过薄而导致在硬掩模中形成的图案不够精确的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 硬掩模 刻蚀 刻蚀材料 光刻胶 图案 衬底 掩模 图案转移 图形化 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成刻蚀材料层；在刻蚀材料层上形成硬掩模，所述硬掩模包括依次形成于所述刻蚀材料层上的第二硬掩模以及第一硬掩模；图形化所述第一硬掩模，在所述第一硬掩模中形成图案，并露出部分所述第二硬掩模；以所述第一硬掩模为掩模刻蚀所述第二硬掩模，将所述图案转移到所述第二硬掩模中；以具有所述图案的第二硬掩模为掩模，刻蚀所述刻蚀材料层；形成第二硬掩模以及第一硬掩模的步骤包括：形成具有第一应力的第一硬掩模，以及具有第二应力的第二硬掩模；其中，所述第一应力的应力方向与第二应力的应力方向相反。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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