[发明专利]一种稀磁半导体材料(Ca,Na)(Zn,Mn)2As2及其制备方法有效
| 申请号： | 201410302565.5 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN105296785B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 靳常青;赵侃;邓正 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C22C1/10 | 分类号： | C22C1/10;C22C1/05;C22C30/06 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人： | 王勇,王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种稀磁半导体材料，其化学式为(Ca1‑xNax)(Zn1‑yMny)2As2，其中0<x≤0.2，0<y≤0.3。本发明还提供一种稀磁半导体材料的制备方法，利用固相反应法，在与氧隔离的环境中烧结前躯体，形成(Ca1‑xNax)(Zn1‑yMny)2As2，0<x≤0.2，0<y≤0.3，其中固相反应法所采用的烧结温度为600‑1000℃。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 ca na zn mn sub as 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种稀磁半导体材料，其化学式为(Ca1‑xNax)(Zn1‑yMny)2As2，其中0<x≤0.2，0<y≤0.3。
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