[发明专利]IGBT门极驱动电路、IGBT装置以及电动汽车有效
| 申请号： | 201410302804.7 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN105227165B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 于晶;刘波;单亮;庄朝晖 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李慧 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种IGBT门极驱动电路、IGBT装置以及电动汽车，包括：驱动芯片21、第一MOS推挽电路22和第二MOS推挽电路23，其中，所述第一MOS推挽电路的输入端子221与所述驱动芯片的输出端子211连接；所述第一MOS推挽电路的输出端子222与所述第二MOS推挽电路的输入端子231连接；以及所述第二MOS推挽电路的输出端子232与IGBT的门极连接。通过本发明提供的IGBT门极驱动电路及IGBT装置，只需更换MOS管的规格，即可实现使用同一规格的驱动芯片驱动不同规格的IGBT，能够在电路简化的基础上，提高IGBT驱动电路的兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 驱动 电路 装置 以及 电动汽车 | ||
【主权项】：
一种IGBT门极驱动电路，其特征在于，包括：驱动芯片(21)、第一MOS推挽电路(22)和第二MOS推挽电路(23)，其中，所述第一MOS推挽电路的输入端子(221)与所述驱动芯片的输出端子(211)连接；所述第一MOS推挽电路的输出端子(222)与所述第二MOS推挽电路的输入端子(231)连接；以及所述第二MOS推挽电路的输出端子(232)与IGBT的门极连接。
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