[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410302822.5 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104733404A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 安井勝祐 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L23/498 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置。本发明想要解决的问题在于提供一种能够抑制散热性的恶化的半导体装置。实施方式的半导体装置具有：基板；半导体芯片，设置于所述基板的一个面；第1金属图案，设置于与所述一个面相对的另一个面的中央，并具有第1角部；第2金属图案，具有角度比所述第1角部小的第2角部，并与所述第1金属图案隔离地设置在所述另一个面；以及热传导材料，经由焊锡与所述第1金属图案以及所述第2金属图案连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有：基板；半导体芯片，设置于所述基板的一个面；第1金属图案，设置于与所述一个面相对的另一个面的中央，并具有第1角部；第2金属图案，具有角度比所述第1角部小的第2角部，并在所述另一个面与所述第1金属图案隔离地设置；以及热传导材料，经由焊锡与所述第1金属图案以及所述第2金属图案连接。
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