[发明专利]一种半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410304321.0 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104112670B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 杨彦涛;江宇雷;赵金波;袁家贵;崔小锋;赵学峰 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成一研磨停止层；刻蚀所述研磨停止层和部分厚度的半导体衬底，同时形成标记窗口和掺杂区沟槽；进行外延生长工艺形成外延层，所述外延层覆盖所述研磨停止层并填充所述标记窗口和掺杂区沟槽；进行化学机械研磨工艺，以暴露所述研磨停止层表面；以及去除所述研磨停止层，形成光刻标记和掺杂区。本发明利用一次光刻刻蚀工艺同时形成标记窗口和掺杂区沟槽，与现有技术相比减少了一次光刻刻蚀工艺，有利于简化工艺步骤，节省制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括：提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成一研磨停止层；刻蚀所述研磨停止层和部分厚度的半导体衬底，同时形成标记窗口和掺杂区沟槽；进行外延生长工艺形成外延层，所述外延层覆盖所述研磨停止层并填满所述标记窗口和掺杂区沟槽；进行化学机械研磨工艺，以暴露所述研磨停止层表面；以及去除所述研磨停止层，形成光刻标记和掺杂区，所述光刻标记和掺杂区的顶面高于所述半导体衬底的表面，所述光刻标记和掺杂区的顶面与所述半导体衬底表面的高度差为
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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